quarta-feira, 28 de dezembro de 2016

TMSME2016: Crescimento de Cristal de Si pelos Processos Czchochralski e ...



#thecircuitcracker

Este vídeo contém algumas informações a respeito do processo de Czochralski e floating zone. Ambos são métodos de cultura de cristais, cada um com seus benefícios em relação ao outro. Também se fala um pouco de um material que pode ser o substituto do silício em certas aplicações, o
grafeno. Pode-se ver pelo vídeo que os métodos são de grande importância para a indústria da microeletrônica, já que estes métodos geram monocristais de fundamental importância para a construção de componentes eletrônicos. 

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