A compreensão de um fenômeno nos permite ter o controle sobre o mesmo e o controle de um fenômeno é a chave para a utilização do mesmo [1], e isto é uma verdade para praticamente tudo o que conhecemos do reino físico.
A eletrônica impactou e continua a impactar a humanidade com os diversos aparatos e facilidades que se tornaram factíveis com a descoberta, o entendimento, e o domínio do efeito transistor, e o aperfeiçoamento das técnicas que permitem realizar o tratamento de semicondutores para que este efeito seja utilizado da forma mais eficiente o possível.
1947 foi um ano marcante e para muitos este é o ano do nascimento da eletrônica. Mas esta é uma odisseia que começou muito antes, através de homens visionários e ou simplesmente curiosos que tentavam entender o funcionamento da eletricidade e materiais elétricos como semicondutores [1]. Os semicondutores sempre intrigaram estes curiosos por causa das estranhas variações em sua condutividade elétrica quando comparados com os metais e os isolantes.
Antes de 1947 muitas das propriedades dos semicondutores como condutividade intermediaria entre metal e isolante, e o aumento da condutividade destes quando expostos, por exemplo, ao calor e a luz. Também as já eram utilizados como dispositivos retificadores para fazer a captura de sinais de rádio, um destes dispositivos é o diodo bigode de gato. Nesta época o principal material utilizado pelos radioamadores era sulfeto de chumbo (galena).
Apesar de algumas aplicações como retificação através de diodos bigode de gato já serem utilizadas na época, a compreensão dos semicondutores ainda era limitada e logo após a segunda guerra mundial em 1945 o Bell Labs investiu pesado na pesquisa e compreensão dos semicondutores [1]-[2]. Um dos focos desta empreitada era o desenvolvimento de um amplificador em semicondutor.
Em 1945, William Shockley tentou construir um amplificador a partir da modulação da resistividade de semicondutores via campo elétrico, conceito similar ao transistor MOS FET, mas não teve sucesso no com o experimento. Então tentando descobrir o porquê do não funcionamento do dispositivo de Shockley, John Bardeen e Walter Brattain construíram o primeiro amplificador reprodutível em semicondutor, o transistor de água em 1947 [3].
Pouco tempo depois naquele mesmo ano, Bardeen e Brattain construíram o transistor de contato de ponta [1] e [2], que foi o primeiro a ser construído em massa. Mais tarde Shockley desenvolve um modelo que explicava o funcionamento do efeito transistor, e isto abriu as portas para o desenvolvimento de outros tipos de transistores e todo o avanço tecnológico da eletrônica em semicondutores.
Por trás dos mitos dos anos que antecederam a criação do primeiro transistor reprodutível, existiam relatos de rádio amadores que haviam conseguido realizar amplificação de sinal de rádio com algum setup diferente de contatos dos arames dos “diodos bigode de gato” com os cristais utilizados na época principalmente a galena [4]. Mas até então o efeito não era facilmente reprodutível.
Entre os nomes daqueles que não ficaram no anonimato total, podemos citar Oleg Vladimirovich Losev (1903-1942), que era muito bom com osciladores, e também realizou experimentos com emissão de luz por cristais de SiC, publicou relatos de que havia conseguido usar cristais como amplificadores [5]. Julius Edgar Lilienfeld, patenteou em 1925 o conceito de modulação da resistividade de semicondutores via campo elétrico [6], que poderia ser utilizado para construir amplificadores em estado sólido, esta foi basicamente a ideia que Shockley perseguiu no início das pesquisas por amplificação em estado sólido no Bell Labs em 1945.
Outros nomes como, William Henry Eccles, Harry Edmond Sigfrid Stockman, Robert George Adams, Russell Shoemaker Ohl, o radioamador Larry Kayser (VA3LK / WA3ZIA), e Thomas Henry Moray também são conhecidos por relataram experimentos onde observaram efeito de amplificação utilizando semicondutores antes de 1947.
Lendas deste tipo certamente são intrigantes para os curiosos, e podem ter servido de combustível para as pesquisas que culminaram na construção dos primeiros transistores reprodutíveis em 1947.
REFERENCIAS
[1] AT&T Archives: Genesis of the Transistor, https://www.youtube.com/watch?v=WiQvGRjrLnU, (acessado em 24/09/2015)
[2] Transistorized, http://www.pbs.org/transistor/album1/index.html (acessado em 24/09/2015)
[3] O TRANSISTOR DE ÁGUA (THE WATER TRANSISTOR), http://thecircuitcracker.blogspot.com.br/2015/09/o-transistor-de-agua-water-transistor.html (acessado em 30/09/2015)
[4] Estado Sólido versus Gasoso: Rivalidade Secular - Parte I, http://www.htforum.com/forum/threads/estado-solido-versus-gasoso-rivalidade-secular-parte-i.90051/ (acessado em 30/09/2015)
[5] The Crystodyne Principle, http://earlyradiohistory.us/1924cry.htm (acessado em 30/09/2015)
[6] Julius Edgar Lilienfeld, https://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld (acessado em 30/09/2015)
Oleg Vladimirovich Losev(10 de maio de 1903 - 22 de janeiro 1942) era um russo cientista e inventor, que fez importantes descobertas no campo de junções de semicondutores.
ResponderExcluirQuando uma tensão de polarização DC foi aplicado a um cat's whisker detector, a fim de aumentar a sua sensibilidade como um detector de cristal de rádio, em que, ocasionalmente, quebrou espontânea oscilação, produzindo uma corrente alternada de frequência de rádio. Esta foi uma resistência negativa efeito e havia sido notado por volta de 1909 por pesquisadores tais como William Henry Eccles e GW Pickard. , mas não muito atenção foi pago a ele. Em 1923 Losev começou a investigação destes "cristais oscilantes" e descobriu que tendenciosa zincite (óxido de zinco) como cristais poderiam amplificar um sinal. Losev foi o primeiro a explorar resistência negativa diodos praticamente; ele percebeu que eles poderiam servir como mais simples, substitutos mais baratos para tubos de vácuo. Ele usou esses cruzamentos para construir versões de estado sólido de amplificadores, osciladores, e TRF e receptores de rádio regenerativos, em freqüências de até 5 MHz, 25 anos antes o transistor
Fontes
[1]https://en.wikipedia.org/wiki/Oleg_Losev
[2]http://link.springer.com/article/10.1134%2F1.1641908#close
ok(1);
ExcluirJulius Edgar Lilienfeld (1882-1963) nasceu em Lemberg hoje chamada de Lviv na Ucrânia. Ele estudou e viveu na Alemanha até a metade de 1920, então ele se mudou para os EUA. Este cientista fez patentes no Canada em 1925 e nos EUA em 1926, lá ele especificou um dispositivo que controlava o fluxo de corrente elétrica entre dois terminais de um condutor elétrico sólido estabelecendo um terceiro potencial entre os terminais, ele descreveu um dispositivo similar ao MESFET [1]. Em 1928, nos EUA ele preencheu mais algumas patentes e disse nelas que o dispositivo não era caro. Porém, ninguém sabe se ele conseguiu construir este dispositivo ou se ficou somente no papel. E se tentou construir, provavelmente, não funcionou, pois os semicondutores de alta qualidade só viriam anos depois [3]. Em 1988, Lilienfeld foi reconhecido por Bardeen como um pioneiro no desenvolvimento de um amplificador semicondutor. Alguns cientistas tentaram patentear seus trabalhos iniciais porém estes foram impedidos porque Lilienfeld já havia patenteado as mesmas ideias muitos anos antes [2].
ResponderExcluir[1] The Semiconductor Transistor,
http://history-computer.com/ModernComputer/Basis/transistor.html
[2] Julius Edgar Lilienfeld,
https://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld
[3] A Very Early Conception of a Solid State Device,
http://ethw.org/A_Very_Early_Conception_of_a_Solid_State_Device
ok (1);
ExcluirJulius Edgar Lilienfeld (1882-1963) nasceu em Lemberg hoje chamada de Lviv na Ucrânia. Ele estudou e viveu na Alemanha até a metade de 1920, então ele se mudou para os EUA. Este cientista fez patentes no Canada em 1925 e nos EUA em 1926, lá ele especificou um dispositivo que controlava o fluxo de corrente elétrica entre dois terminais de um condutor elétrico sólido estabelecendo um terceiro potencial entre os terminais, ele descreveu um dispositivo similar ao MESFET [1]. Em 1928, nos EUA ele preencheu mais algumas patentes e disse nelas que o dispositivo não era caro. Porém, ninguém sabe se ele conseguiu construir este dispositivo ou se ficou somente no papel. E se tentou construir, provavelmente, não funcionou, pois os semicondutores de alta qualidade só viriam anos depois [3]. Em 1988, Lilienfeld foi reconhecido por Bardeen como um pioneiro no desenvolvimento de um amplificador semicondutor. Alguns cientistas tentaram patentear seus trabalhos iniciais porém estes foram impedidos porque Lilienfeld já havia patenteado as mesmas ideias muitos anos antes [2].
ResponderExcluir[1] The Semiconductor Transistor,
http://history-computer.com/ModernComputer/Basis/transistor.html
[2] Julius Edgar Lilienfeld,
https://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld
[3] A Very Early Conception of a Solid State Device,
http://ethw.org/A_Very_Early_Conception_of_a_Solid_State_Device
Julius Edgar Lilienfeld (1882-1963) nasceu em Lemberg hoje chamada de Lviv na Ucrânia. Ele estudou e viveu na Alemanha até a metade de 1920, então ele se mudou para os EUA. Este cientista fez patentes no Canada em 1925 e nos EUA em 1926, lá ele especificou um dispositivo que controlava o fluxo de corrente elétrica entre dois terminais de um condutor elétrico sólido estabelecendo um terceiro potencial entre os terminais, ele descreveu um dispositivo similar ao MESFET [1]. Em 1928, nos EUA ele preencheu mais algumas patentes e disse nelas que o dispositivo não era caro. Porém, ninguém sabe se ele conseguiu construir este dispositivo ou se ficou somente no papel. E se tentou construir, provavelmente, não funcionou, pois os semicondutores de alta qualidade só viriam anos depois [3]. Em 1988, Lilienfeld foi reconhecido por Bardeen como um pioneiro no desenvolvimento de um amplificador semicondutor. Alguns cientistas tentaram patentear seus trabalhos iniciais porém estes foram impedidos porque Lilienfeld já havia patenteado as mesmas ideias muitos anos antes [2].
ResponderExcluir[1] The Semiconductor Transistor.http://history-computer.com/ModernComputer/Basis/transistor.html (acessado em 30/09/2015)
[2] Julius Edgar Lilienfeld.https://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld (acessado em 30/09/2015)
[3] A Very Early Conception of a Solid State Device. http://ethw.org/A_Very_Early_Conception_of_a_Solid_State_Device (acessado em 30/09/2015)
OSKAR HEIL
ResponderExcluirApesar do primeiro trabalho que descreve o princípio do transistor de efeito de campo (field-effect transistor, ou FET) ter sido feito no Canadá pelo físico astro-úngaro (região onde hoje é a Ucrânia) Julius Edgar Lilienfeld em 1925, quem conseguiu a primeira patente alguns anos mais tarde, em 1935 foi, o inventor alemão Oskar Heil, na inglaterra.
Julius E. Lilienfeld tentou obter patente para um amplificador a cristal, tendo como material estrutural o Sulfeto de Cobre. Entretanto, por se tratar de um trabalho isolado, naquela época pouca atenção foi dada ao mesmo, então em 1935, Oskar Heil, cuja concepção consistia no emprego de um eletrodo de controle para regular o fluxo da corrente através de uma fina camada semicondutora, elaborada com vários tipos de materiais estruturais como o Óxido de Cobre, o Pentóxido de Vanádio, Telúrio e Iodo, teve êxito em conseguir uma das primeira patentes para um amplificador a cristal operando pelo princípio de efeito de campo. Na realidade, o dispositivo inventado por Heil foi o precursor do transistor de efeito de campo com porta isolada, uma vez que o eletrodo de controle estava isolado do substrato.
REFERÊNCIAS:
[1] A história do primeiro Transistor, http://www.embarcados.com.br/a-historia-do-primeiro-transistor (Acessado em 01/10/2015)
[2] O Transitor de Efeito de Campo - FET, http://www.fazano.pro.br/port108.html (Acessado em 01/10/2015)
ok (1).
ExcluirQuem é você?
João Victor Lopes
ExcluirJohn Bardeen-
ResponderExcluirJohn Bardeen nasceu em Madison, Wisconsin, em 23 de maio de 1908, filho de Dr. Charles R. Bardeen, o decano da escola de medicina da Universidade de Wisconsin. Sua inteligência aparente em uma idade precoce, os pais de Bardeen tinha-lhe saltar de terceiro grau para a direita em alta júnior. Ele se matriculou na Universidade de Wisconsin, quando ele tinha 15 anos e se formou em engenharia, mais tarde, entrar em engenharia de seu mestre na UW também.
Quando surgiu a partir Bardeen UW com o seu grau avançado, os empregos eram escassos, como a depressão estava em pleno andamento, e ele acabou aceitando uma posição com a Gulf Oil como um geofísico. Após três anos, Bardeen percebeu que seus interesses estavam em outro lugar e ele voltou para a escola, desta vez para Princeton para o doutorado em física matemática.
Em Princeton, Bardeen começou seus estudos sérios de metais sob orientação do professor EP Wigner, utilizando novas teorias da mecânica quântica para ajudar ainda mais a compreensão de semicondutores. Ele terminou sua tese em 1935 e foi oferecida uma posição companheiro júnior em Harvard, onde ele passou os próximos três anos. Durante sua passagem em Harvard, Bardeen casado Jane Maxwell. O casal iria passar a ter três filhos.
Em 1945, após a Segunda Guerra Mundial chegou ao fim, Bardeen tomou uma posição com Bell Telephone Laboratories, onde se envolveu em novas pesquisas em semicondutores, especificamente sobre a forma como eles conduzem elétrons. Dois anos mais tarde, Bardeen, William Shockley e Walter Brattain revelou o transistor para o mundo, kick-começando uma revolução na eletrônica.
Além de substituir o tubo de vácuo, que foi volumosos e muito maior, o transistor permitido para a miniaturização de componentes necessários para a eventual evolução dos computadores. A invenção levaria a Bardeen e seus colegas pesquisadores vencedores do Prêmio Nobel de Física em 1956.
Enquanto isso, Bardeen havia retornado para sua pesquisa anterior sobre supercondutividade, a investigação que, eventualmente, explicou o desaparecimento da resistência elétrica quando os materiais atingem temperaturas próximas do zero absoluto. Seu trabalho com LN Cooper e JR Schrieffer resultou na teoria da supercondutividade BCS (nomeado para as iniciais do trio), que se tornou a teoria fundamental para todo o trabalho mais tarde na supercondutividade. Também levou a segunda Prémio Nobel da Física para Bardeen, que ele compartilhou com Cooper e Schrieffer.
Prêmios Nobel de lado, John Bardeen era um dos cientistas de sua época mais condecorados e influentes. Ele era um membro da Sociedade Americana de Física e membro do Comitê Consultivo de Ciências da Presidência. Ele foi eleito para a Academia Nacional de Ciências em 1954 e foi agraciado com o Prêmio Buckley da Sociedade Americana de Física em 1955 eo Prêmio Fritz Londres para trabalho em física de baixa temperatura, em 1962.
Fonte: http://www.biography.com/people/john-bardeen-9198809#legacy
Helton Nogueira
ok (1);
ExcluirReona Ezaki, conhecido no mundo ocidental como Leona ou Leo Esaki, nasceu no dia 12 de Março de 1925, em Osaka, no Japão. Estudou Física na Universidade de Tóquio, e se mudou em 1960 para os Estados Unidos, a fim de trabalhar na IBM. Ele recebeu do Nobel de Física em 1973 por suas descobertas experimentais no campo de Física da Matéria Condensada e semicondutores. Também recebeu a Medalha Stuart Ballantime e Medalha de Honra IEEE.
ResponderExcluirEzaki descobriu, junto com Ivar Giaever e Brian David Josephson, o tunelamento de elétrons em semicondutores, supercondutores e a supercorrente através de junções em supercondutores.
Ezaki também descobriu o "diodo túnel" ou "díodo Esaki", que é um tipo de diodo semicondutor extremamente rápido, que opera na casa dos GHz, através da utilização dos efeitos da mecânica quântica.
Hoje ele está com 90 anos, tendo recebido também os prêmios Asahi, Harold Award Pender e o Prêmio Japão.
Fontes:
Prêmio Nobel: http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1973/
Biografia Nobel: http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1973/esaki-facts.html
Não foi antes de 1947.
ExcluirWalter Houser Brattain
ResponderExcluirnasceu em 1902 em Amoy, na China, pois seu pai era professor no instituto Ting-Wen. No entanto, seus pais retornaram aos EUA em 1903 e ele passou a infância e adolescência no estado de Washington. Ele se formou na "Whitman College", em Washington, em 1924. Foi a mesma universidade onde seu pai se formou, em 1901, antes de ir para a China. De lá, continuou seus estudos, concluindo seu mestrado na universidade de Oregon em 1926, e seu doutorado na universidade de Minnesota em 1929.
Em 1929, ele era membro da equipe técnica do Bell Labs, fazendo pesquisa sobre "As Propriedades de Superfícies de Sólidos". Seu trabalho se concentrava na emissão termoiônica. Ele trabalhou com Shockley e Bardeen na possibilidade da criação de um dispositivo semicondutor de comportamento similar ao triodo. Eles batizaram a pesquisa de "Point Contact Resistor".
Brattain estava observando uma série de condensações elétricas em seu material e não conseguia se livrar delas. Ele sabia que deveria fazer esse experimento em vácuo para evitar esse tipo de comportamento, mas concluiu que isso levaria muito tempo. Ele, então, mergulhou todo o seu experimento em água. E o maior obstáculo para a construção de um aplificador tinha sido superado.
Fonte: http://www.embarcados.com.br/a-historia-do-primeiro-transistor/
Walter Houser Brattain
ResponderExcluirnasceu em 1902 em Amoy, na China, pois seu pai era professor no instituto Ting-Wen. No entanto, seus pais retornaram aos EUA em 1903 e ele passou a infância e adolescência no estado de Washington. Ele se formou na "Whitman College", em Washington, em 1924. Foi a mesma universidade onde seu pai se formou, em 1901, antes de ir para a China. De lá, continuou seus estudos, concluindo seu mestrado na universidade de Oregon em 1926, e seu doutorado na universidade de Minnesota em 1929.
Em 1929, ele era membro da equipe técnica do Bell Labs, fazendo pesquisa sobre "As Propriedades de Superfícies de Sólidos". Seu trabalho se concentrava na emissão termoiônica. Ele trabalhou com Shockley e Bardeen na possibilidade da criação de um dispositivo semicondutor de comportamento similar ao triodo. Eles batizaram a pesquisa de "Point Contact Resistor".
Brattain estava observando uma série de condensações elétricas em seu material e não conseguia se livrar delas. Ele sabia que deveria fazer esse experimento em vácuo para evitar esse tipo de comportamento, mas concluiu que isso levaria muito tempo. Ele, então, mergulhou todo o seu experimento em água. E o maior obstáculo para a construção de um aplificador tinha sido superado.
Fonte: http://www.embarcados.com.br/a-historia-do-primeiro-transistor/
ok (1);
ExcluirWilliam Bradford Shockley (Londres, 13 de fevereiro de 1910 — Stanford, 12 de agosto de 1989) foi um físico e inventor estadunidense.
ResponderExcluirEnquanto ainda era estudante, Shockley casou em 1933 com Iowan Jean Bailey. E em março de 1934 Jean teve uma menina, Alison, e logo em seguida teve mais um filho, Richard, que mais tarde também se tornou um físico.
Foi William Shockley quem primeiro propôs o desenho de um transistor de efeito de campo, que seria feito de fatias finas de semicondutores diferentes.Infelizmente, ele não conseguiu fazer o dispositivo funcionar da maneira como sua matemática previu.
Bardeen e Brattain escolheram investigar um efeito mais simples do transistor do que Shockley.
Foram eles que produziram o primeiro transistor de ponto de contato, anexando duas folhas de contatos de ouro a um pedaço de germânio, montado em uma base de metal. Desta vez, o dispositivo funcionou, e Bardeen e Brattain foram capazes de estender seu aparelho com um circuito capaz de amplificar sinais sonoros.
Nessa época, no entanto, Shockley já havia desenvolvido um projeto alternativo e sucessor do dispositivo de ponto de contato: o transistor de junção bipolar. Sua invenção, construída e testada em janeiro de 1948, tinha um design mais compacto e provou ser mais fácil de se fabricar do que o transistor de ponto de contato.
Fontes:
http://hypescience.com/como-o-transistor-revolucionou-a-tecnologia-65-anos-atras/
https://pt.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley
ok (1);
ExcluirWilliam Shockley
ResponderExcluirFísico anglo-americano nascido em Londres, co-inventor do transistor o que lhe valeu o Prêmio Nobel de Física (1956), juntamente com seus sócios americanos John Bardeen, da Bell Telephone Laboratories, Murray Hill, NJ, e Walter H. Brattain, da University of Illinois, Urbana, Illinois, dividido em partes iguais, ou seja, 1/3 para cada um. Filho do engenheiro minas de Massachusetts, William Hillman Shockley, e sua esposa Mary Bradford, voltou com a família para os Estados Unidos (1913) e foi educado na Califórnia, levando o B.Sc B.Sc.no California Institute of Technology (1932). Estudou no Massachusetts Institute of Technology orientado pelo Professor J. C. Slater e obteve o Ph.D (1936), com uma tese sobre a estrutura energética do cloreto de sódio. Foi para os EEUU (1913) e trabalhou no Bell Telephone Laboratories (1936-1956) e lá começou experiências que conduziram à invenção e desenvolvimento do transistor de junção. Durante a Segunda Guerra Mundial, ele serviu como diretor de pesquisa para o Antisubmarine Warfare Operations Research Group da Marinha norte-americana. Depois da guerra, retornou à Bell Telefone como diretor de pesquisa da física do transistor. Pesquisador (1945-1954), foi professor visitante de física no Instituto Californiano de Tecnologia, em Pasadena (1954) e diretor do Departamento de Defesa (1954-1955). Uniu-se a Beckman Instruments Inc., para implantar o Laboratório Shockley de Semicondutor (1955), assumindo a direção da Shockley Transistor Corp., em Palo Alto, Califórnia, na qual foi presidente (1958-1960) e consultor (1960-1965). Tornou-se (1958) lecturer da Stanford University, California, e o primeiro professor de ciência da engenharia nesta universidade (1963) e morreu em Palo Alto (1989). Na verdade iniciou as pesquisas em semicondutores que levaram ao desenvolvimento do transistor, um dispositivo de estado sólido que amplifica a corrente eléctrica, depois da guerra (1948). O transistor executou funções eletrônicas semelhantes à válvula eletrônica no rádio e televisão, mas de longe muito menor e usando muito menos energia. O transistor tornou-se o inicio da eletrônica moderna, o inicio do microchip e a tecnologia do computador.
Além de inúmeros artigos em revistas científicas e técnicas, Shockley tenha elétrons e buracos escrito em Semicondutores (1950) e editou Imperfeições de cristais quase perfeito (1952). Ele tem tirado mais de 50 patentes nos EUA por suas invenções.
REFERENCIAS
http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/shockley-bio.html
http://www.dec.ufcg.edu.br/biografias/WilliBra.html
No início de 1900, o Dr. T. Henry Moray de Salt Lake City produziu seu primeiro dispositivo para extrair energia a partir das oscilações metafrequency do próprio espaço vazio. Eventualmente Moray foi capaz de produzir um dispositivo de energia livre pesando sessenta libras e produção de 50.000 watts de eletricidade durante várias horas. Ironicamente, apesar de ele demonstrar o seu dispositivo repetidamente aos cientistas e engenheiros, Moray foi incapaz de obter financiamento para desenvolver o dispositivo ainda mais em uma estação de energia utilizável que forneceria energia elétrica em uma escala maciça.
ResponderExcluirComo um menino, Moray tinha sido profundamente inspirado pelo grande gênio elétrica de todos os tempos, Nikola Tesla. Sua imaginação foi especialmente disparado por reivindicações de Tesla ter conhecimento de uma fonte de energia maior do que a eletricidade comum, e pela ênfase de Tesla em frequências como as coisas do universo. Quando Moray terminou o ensino médio em Salt Lake City, ele foi para o exterior para estudar, e tomou exames residentes em seu doutorado em engenharia elétrica pela Universidade de Uppsala, na Suécia, durante o período 1912-1914. Voltando para casa, o diploma e as credenciais foram interrompidos pela Primeira Guerra Mundial, e da Universidade mail para ele esses itens em 1918 após a guerra.
Pouco tempo depois, Moray produziu seu primeiro dispositivo elementar que entregou energia elétrica mensurável, e ele continuou a trabalhar diligentemente em dispositivos de energia quando ele tinha tempo. Em 1920 e 1930 ele vindo a melhorar os seus dispositivos, particularmente seu tubo detector, o único segredo real do dispositivo de acordo com o próprio Moray. Em seu livro, O mar de energia em que a Terra flutua, Moray apresenta provas documentais que ele inventou a primeira válvula tipo transistor em 1925, muito à frente do da descoberta oficialmente reconhecida do transistor. Em seu tubo detector de energia livre Moray aparentemente usado, dentro da própria, uma variação deste transistor tubo ideia-um pequeno pelete arredondada de uma mistura de zinco triboluminescent, um material semicondutor, e um material radioactivo ou cindível seu pedido de patente (para os quais uma patente não tenha sido concedida) foi arquivado em 13 de julho de 1931, muito antes do advento do transistor nos Laboratórios Bell.
REFERÊNCIA:
http://www.cheniere.org/books/excalibur/moray.htm
ok (1);
ExcluirNo início de 1900, o Dr. T. Henry Moray de Salt Lake City produziu seu primeiro dispositivo para extrair energia a partir das oscilações metafrequency do próprio espaço vazio. Eventualmente Moray foi capaz de produzir um dispositivo de energia livre pesando sessenta libras e produção de 50.000 watts de eletricidade durante várias horas. Ironicamente, apesar de ele demonstrar o seu dispositivo repetidamente aos cientistas e engenheiros, Moray foi incapaz de obter financiamento para desenvolver o dispositivo ainda mais em uma estação de energia utilizável que forneceria energia elétrica em uma escala maciça.
ResponderExcluirComo um menino, Moray tinha sido profundamente inspirado pelo grande gênio elétrica de todos os tempos, Nikola Tesla. Sua imaginação foi especialmente disparado por reivindicações de Tesla ter conhecimento de uma fonte de energia maior do que a eletricidade comum, e pela ênfase de Tesla em frequências como as coisas do universo. Quando Moray terminou o ensino médio em Salt Lake City, ele foi para o exterior para estudar, e tomou exames residentes em seu doutorado em engenharia elétrica pela Universidade de Uppsala, na Suécia, durante o período 1912-1914. Voltando para casa, o diploma e as credenciais foram interrompidos pela Primeira Guerra Mundial, e da Universidade mail para ele esses itens em 1918 após a guerra.
Pouco tempo depois, Moray produziu seu primeiro dispositivo elementar que entregou energia elétrica mensurável, e ele continuou a trabalhar diligentemente em dispositivos de energia quando ele tinha tempo. Em 1920 e 1930 ele vindo a melhorar os seus dispositivos, particularmente seu tubo detector, o único segredo real do dispositivo de acordo com o próprio Moray. Em seu livro, O mar de energia em que a Terra flutua, Moray apresenta provas documentais que ele inventou a primeira válvula tipo transistor em 1925, muito à frente do da descoberta oficialmente reconhecida do transistor. Em seu tubo detector de energia livre Moray aparentemente usado, dentro da própria, uma variação deste transistor tubo ideia-um pequeno pelete arredondada de uma mistura de zinco triboluminescent, um material semicondutor, e um material radioactivo ou cindível seu pedido de patente (para os quais uma patente não tenha sido concedida) foi arquivado em 13 de julho de 1931, muito antes do advento do transistor nos Laboratórios Bell.
Moray, portanto, é justificada como um homem à frente de seu tempo, que simplesmente construiu um dispositivo antes de qualquer teoria existia para explicar o seu funcionamento. Moray reuniu com a oposição constante, e sua vida ea de sua família não era nada agradável. Certos grupos de pressão constantemente tentou forçá-lo a venda por quase nada, ou revelar os segredos da construção de sua válvula. Ele foi muitas vezes atacada e ele foi baleado por vezes, nas ruas da cidade. Na verdade, sua vida foi ameaçada com tanta freqüência que ele foi forçado a instalar vidro à prova de balas em seu automóvel. Seu laboratório foi arrombada, alguns de seus componentes e documentos foram roubados, e seus cães foram continuamente a ser morto. Moray foi baleado em seu próprio laboratório, e ele mesmo sempre carregava uma arma. Porque ele foi perseguido incessantemente, ao longo dos anos tornou-se compreensivelmente desconfiado e reticente sobre seu trabalho. Ele às vezes cumprimentou visitantes em sua mesa com uma pistola carregada deitada sobre a mesa de fácil acesso, e, ocasionalmente, confirmou que ele não hesitaria em atirar se ele foram atacados ou ameaçados. Um dos seus: maiores temores era que os grandes interesses tomaria sua invenção e simplesmente arquiva-o para mantê-lo de beneficiar o público. Quando as grandes empresas fizeram ofertas, que ele sempre exigiu garantias por escrito de que o dispositivo poderia ser colocado em produção e vendidos para todos, uma vez que foi desenvolvido.
REFERÊNCIA:
http://www.cheniere.org/books/excalibur/moray.htm
ok (1);
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ResponderExcluirWilliam Henry Eccles
ResponderExcluirNasceu em 23 de agosto de 1875 e morreu em 29 de abril de 1966, Eccles foi um físico britânico e dos pioneiros no desenvolvimento de comunicação de rádio.
Ele nasceu em Barrow-in-Furness, Lancashire, Inglaterra. Após sua graduação da Royal College of Science, Londres, em 1898, tornou-se assistente de Guglielmo Marconi, o empresário de rádio italiana. Em 1901, ele recebeu seu doutorado do Royal College of Science. Eccles era um defensor da teoria de Oliver Heaviside que uma camada condutora da alta atmosfera poderia refletir ondas de rádio em torno da curvatura da terra, permitindo assim a sua transmissão em longas distâncias. Originalmente conhecida como a camada Kennelly-Heaviside, esta região da atmosfera da terra tornou-se conhecida como ionosfera. Em 1912, Eccles sugeriu que a radiação solar foi responsável para as diferenças observadas na propagação de ondas de rádio durante o dia e a noite. Ele realizou experimentos em perturbações atmosféricas de ondas de rádio e usou detectores de ondas e amplificadores em seu trabalho. Eccles inventou o termo diodo para descrever um tubo de vidro evacuado, contendo dois eletrodos; um ânodo e um cátodo.
Depois da Segunda Guerra Mundial o principal interesse de Eccles foi no desenvolvimento de circuitos eletrônicos. Em 1918, ele trabalhou em colaboração com F. W. Jordan para patentear o circuito Flip-flop, que se tornou a base da memória eletrônica em computadores. Em 1919, Eccles tornou-se vice-presidente do Imperial Wireless Committee. Ele ajudou na concepção da primeira estação de rádio de ondas longas e envolveu-se no trabalho precoce da British Broadcasting Company (mais tarde a BBC) após a sua criação em 1922.
William Eccles foi um Fellow of the Royal Society (FRS). Ele foi presidente da Physical Society de 1928 a 1930, presidente da Institution of Electrical Engineers (IEE) em 1926 e presidente da Radio Society of Great Britain (RSGB) em 1923 e 1924.
Ele morreu em Oxford.
Referências:
1. Eccles, W. H. (1912). "On the Diurnal Variations of the Electric Waves Occurring in Nature, and on the Propagation of Electric Waves Round the Bend of the Earth". Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 87 (593): 79.
2. William Henry Eccles and Frank Wilfred Jordan, "Improvements in ionic relays" British patent number: GB 148582 (filed: 21 June 1918; published: 5 August 1920). Available on-line at: http://v3.espacenet.com/origdoc?DB=EPODOC&IDX=GB148582&F=0&QPN=GB148582 .
3. W. H. Eccles and F. W. Jordan (19 September 1919) "A trigger relay utilizing three-electrode thermionic vacuum tubes," The Electrician, vol. 83, page 298. Reprinted in: Radio Review, vol. 1, no. 3 , pages 143–146 (December 1919).
ok (1);
ExcluirRussell Shoemaker Ohl
ResponderExcluirA invenção do transistor é largamente creditada a Walter Brattain, John Bardeen, William Shockley e. Mas, como a maioria das grandes invenções, o transistor foi um marco em um processo criativo que envolveu muitas pessoas. Uma dessas pessoas foi Russell Ohl, que, em 1940 tropeçamos no semicondutor "pn" diodo de junção, o dispositivo que Bardeen descrita como fundamental para o trabalho da equipe que construiu o transistor.
Russell Ohl nasceu em janeiro de 1898, perto de Allentown, Pensilvânia. Um estudante extremamente brilhante, ele entrou na escola pública a cinco anos de idade e passou a que se tornou Pennsylvania State University aos 16 anos Ele estava em seu segundo ano de faculdade que Ohl viu um receptor de rádio pela primeira vez, e ouviu a sua primeira " broadcast "-o SOS de um navio no mar que estava sendo atacado por um submarino alemão. Ele ficou intrigado, mas não foi até um ano depois, quando ele fez um curso sobre tubos de elétrons, que sua paixão ao longo da vida para o rádio realmente começou.
Após a formatura, Ohl servido um breve período no Signal Corps do Exército, ministrado por um tempo, e depois passou a trabalhar, primeiro na Westinghouse, em seguida, AT & T e, finalmente, em 1927, no Bell Labs em Holmdel, Nova Jersey. Foi através do trabalho de Ohl com rádio que ele ficou interessado em semicondutores.
Para a próxima década e meia Ohl continuou a trabalhar na física de estado sólido na Bell Labs. Em 1955 ele foi eleito membro do Instituto de Engenheiros de Rádio (a antecessora da IEEE). Três anos mais tarde, sentindo que o seu trabalho de laboratório não é o que tinha sido uma vez foi, Ohl se aposentou aos 60 anos Logo depois ele se mudou com sua família para a Califórnia, mas continuou trabalhando e publicação de documentos sobre cristais semicondutores. Ele também desenvolveu um forte interesse em plantas e estudou "sistema nervoso" botânicos para ver como eles foram afetados pelo barulho. Embora Ohl fez descobertas fundamentais que levam à mais famosa transistor, sua invenção da junção de semicondutores tem sido largamente esquecidos. Ohl morreu em março de 1987.
Mery J. Pinheiro
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ExcluirWilliam Henry Eccles - [23/08/1875 (Oxford Barrow-in-Furness, Inglaterra) - 29/05/1966 (Oxford)]
ResponderExcluirApós a Primeira Guerra Mundial o interesse principal Eccles estava no desenvolvimento circuito eletrônico. Em 1918, ele trabalhou em colaboração com F.W. Jordan em patentear o circuito flip-flop (circuito digital pulsando capaz de criar uma memória de um bit), que se tornou a base da memória eletrônica em computadores. Eccles inventou o termo Diodo para descrever um tubo de vidro evacuado contendo dois eletrodos; um ânodo e um cátodo. Originalmente chamado de retificador por causa de sua capacidade de converter corrente alternada (AC) para corrente contínua (DC), ela foi renomeada um diodo em 1919. Tornou-se vice-presidente da Comissão sem fio Imperial. Ele ajudou na concepção da primeira onda longa estação de rádio, e tornou-se envolvidos no trabalho precoce da British Broadcasting Company (mais tarde a BBC), após a sua criação em 1922.
Fontes:
http://www.computerhistory.org/atchm/who-invented-the-diode/
http://grandesinvencoesdahumanidade.blogspot.com.br/2011/08/seculo-xx.html
https://en.wikipedia.org/wiki/William_Eccles
Jack St. Claire Kilby nasceu em 1923, foi um físico e engenheiro eletricista estadunidense. Durante a Segunda Guerra Mundial, Kilby trabalhou para o Office of Strategic Services (OSS). Dois anos depois, em 1947, terminou a sua formação na Universidade de Illinois e, em 1950, graduou-se novamente, desta feita pela Universidade de Wisconsin, em engenharia electrónica.
ResponderExcluirPor muitos anos os transistores permaneceram sendo construídos como componentes eletrônicos individuais que juntados com outros componentes (diodos, resistores, capacitores, indutores e etc.) formavam um circuito eletrônico. Porém, a complexidade dos circuitos estava ficando cada vez maiores tornando sua montagem difícil. Até que J. Kilby do Texas Instruments e R. Noyce da Fairchild solucionaram o problema do grande numero de componentes, e o circuito integrado foi desenvolvido. Neste processo, uma grande quantidade de transistores e outros componentes eletrônicos poderiam ser construídos ao mesmo tempo e na mesma peça de semicondutor.
O estudioso produziu um chip de cristal que reunia componentes antes separados, como transístores, resistores e capacitores.
Não foi antes de 1947.
ExcluirOleg Vladimírovich Lósev
ResponderExcluirNascido em uma família de classe alta na Rússia Imperial, serviu como capitão no exército zarista.
Publicou uma série de artigos e patentes durante sua carreira.
Suas observações dos LED permaneceram inadvertidas durante meio século até ser reconhecidos no final do século XX e princípios do XXI.
Em decorrência de seus trabalhos como técnico de rádio, advertiu que os SEMICONDUTORES empregados nos receptores de rádio emitiam luz quando uma corrente eléctrica os atravessava, este fenômeno já tinha sido observado, independentemente anos dantes, por Henry Joseph Round.
Em 1927, Lósev publicou os detalhes do primeiro diodo emissor de luz, em uma revista científica russa. No período de 1924 a 1941, publicou uma série de artigos, detalhando as funções de um dispositivo, que ele mesmo tinha desenvolvido, que gerava luz mediante electroluminiscencia, quando os elétrons emitem luz ao cair a um nível de energia inferior.
Referências:
http://www.seara.ufc.br/folclore/folclore471.pdf
http://pt.encydia.com/es/Oleg_L%C3%B3sev
Oleg Vladimírovich Lósev
ResponderExcluirNascido em uma família de classe alta na Rússia Imperial, serviu como capitão no exército zarista.
Publicou uma série de artigos e patentes durante sua carreira.
Suas observações dos LED permaneceram inadvertidas durante meio século até ser reconhecidos no final do século XX e princípios do XXI.
Em decorrência de seus trabalhos como técnico de rádio, advertiu que os SEMICONDUTORES empregados nos receptores de rádio emitiam luz quando uma corrente eléctrica os atravessava, este fenômeno já tinha sido observado, independentemente anos dantes, por Henry Joseph Round.
Em 1927, Lósev publicou os detalhes do primeiro diodo emissor de luz, em uma revista científica russa. No período de 1924 a 1941, publicou uma série de artigos, detalhando as funções de um dispositivo, que ele mesmo tinha desenvolvido, que gerava luz mediante electroluminiscencia, quando os elétrons emitem luz ao cair a um nível de energia inferior.
Referências:
http://www.seara.ufc.br/folclore/folclore471.pdf
http://pt.encydia.com/es/Oleg_L%C3%B3sev