Curso de Microeletrônica Experimental

http://cl.newsletter.educafei.com.br/5P6O/1psIi1xTh6HlV4lnEZf8V4gGNa8mi8B3gF5reQ-8ksU%2c

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Vamos Publicar Nestes Journals (Engenharia Elétrica e Computação)

Seu sucesso acadêmico é mensurado basicamente pela qualidade de suas publicações científicas, portanto não perca tempo e invista o mais cedo o possível nos journals mais renomados da Engenharia Elétrica e Computação.

O jargão "Publique o Pereça" não é brincadeira no meio acadêmico.

No link abaixo você encontra a lista dos melhores Journals para publicar os seus trabalhos:

http://www.guide2research.com/journals/

Image Sensors World: Interview with Martin Wäny

Image Sensors World: Interview with Martin Wäny: Martin Wäny, the founder and CEO of Awaiba, now CMOSIS, gives an interview on endoscopic imaging to News Medical site . Few interesting quot...

CHIP ON THE MOUNTAINS 2016

www.chip-on-the-mountains.com

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Curso de Delphi Certificado Embarcadero

Programa Jovens Engenheiros Suzano 2016

Programa:

Até 17/11/2015 estão abertas as inscrições para o processo seletivo para o Jovens Engenheiros Suzano 2016, programa de desenvolvimento para engenheiros com interesse em atuar nas áreas de Industrial, Florestal, Engenharia, Supply Chain e Corporativo (Comercial, Financeiro e TI) da empresa.

Os aprovados serão contratados por 18 meses, com início previsto para janeiro/2016. O programa oferecerá desenvolvimento técnico e profissional, por meio da união do conhecimento teórico e prática, com a utilização do job rotation para maximizar o aproveitamento e aprendizado.


Requisitos:

Formação nível Superior concluído entre Dezembro de 2013 e Dezembro de 2015 nos cursos:

Engenharia Agrícola;
Engenharia Agronômica;
Engenharia Ambiental;
Engenharia Bioenergética;
Engenharia Bioquímica;
Engenharia Biotecnológica;
Engenharia Civil;
Engenharia da Computação;
Engenharia de Agronegócios;
Engenharia de Bioprocessos e Biotecnologia;
Engenharia de Controle e Automação;
Engenharia de Desenvolvimento Industrial;
Engenharia de Energia;
Engenharia de Gestão;
Engenharia de Manutenção;
Engenharia de Materiais;
Engenharia de Processos;
Engenharia de Produção;
Engenharia de Sistemas;
Engenharia de Software;
Engenharia de Telecomunicações;
Engenharia de Transportes;
Engenharia Elétrica;
Engenharia Florestal;
Engenharia Industrial;
Engenharia Mecânica;
Engenharia Metalúrgica;
Engenharia Química.
- Inglês avançado

- Disponibilidade para residir em qualquer estado onde a empresa atue

- Disponibilidade para viagens.

Contato:

Isadora Ewbank:  isadora.ewbank@across.com.br

Marketing

Tel: 11 2842-7777 | 11 2842-7769 direto

Al Santos, 705 4º andar São Paulo, SP | CEP: 01419-001

www.across.com.br

Google e UFMG fecham parceria para estágio e bolsa de estudos no mestrado

Se você pensa em ingressar em um mestrado na área de Ciência da Computação, considere com carinho estudar na Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG). Isso porque a instituição de ensino fechou uma parceria com a Google Brasil para a disponibilização de bolsas de estudo e estágios remunerados.

Os primeiros contemplados com o benefício dessa aliança serão os estudantes da turma 2016-2017. Graças ao acordo, oito mestrandos ganharão a chance de estagiar no Centro de Engenharia da Google, que fica em Belo Horizonte. O serviço dura todo o segundo ano da pós-graduação e é acompanhado de uma bolsa de estudos paga pela empresa.

O objetivo é, segundo a UFMG, oferecer "uma experiência concreta (...) na qual serão expostos à experiência e mentoria de profissionais líderes na profissão da ciência de computação", além de aplicar o conhecimento obtido em sala em situações e projetos de larga escala no mundo real — e em uma empresa da dimensão da Google.

Ao final do estágio, os mestrandos terão garantida uma entrevista de trabalho que pode resultar em efetivação na Google.
Inscrição

Você pode fazer a inscrição para o Programa de Pós-graduação em Ciência da Computação (PPGCC) até 16 de novembro no site do Departamento. Quem ainda cursa a graduação tem que comprovar que consegue concluir o curso até 29 de janeiro de 2016.

Curso "Advanced Micro and Nanotechnologies & Applications"

Local: Auditório Floriano Pacheco da SUFRAMA

As inscrições:

Terá inscrição Gratuita para Graduados e estudantes Universitários, nas engenharias: Eletrônica, Mecânica, Mecatrônica, e Física a inscrição devera ser feita no e-mail : Henrique@fraunhofer.org.br

Com os seguintes dados: Universidade onde estuda/estudou, Curso e ano Nome completo, idade, sexo. Mail de contato para envio de certificado

O certificado será emitido de acordo com o cadastro realizado, não haverá emissão de segunda via ou correção. Recebera um e-mail de confirmação que devera levar o dia de inicio do curso.

Objetivo do Curso: Dirigido a Engenheiros formados ou em formação, busca-se inferir o contexto acadêmico local com conhecimentos atualizados nas Micro e Nanotecnologias, visando incentivar os profissionais formados ou em formação, para buscar novas tendências tecnológicas que permitam explorar a criatividade gerando inovação e a pratica da Ciência Aplicada, orientada á indústria.

O curso terá 50% de conhecimentos teóricos e 50% de pratica na aplicação dos conhecimentos adquiridos.

Será ministrado por Professores da Universidade Tecnológica de Chemnitz e do Fraunhofer Enas de Nanosistemas Eletrônicos, nos dias 23 e 24 de Novembro, com inicio as 8:30 da manha. Nos dias 25 e 26 de Novembro, os alunos prepararam (em casa) um projeto escrito com base nos conhecimentos recebidos, buscando uma aplicação pratica, como produto final. Plágios de internet ideias já em execução em laboratórios, não serão considerados.

Projeto: Com uma descrição sintetizada, porem com clara exposição da execução, desenhos, graficos e potenciais resultados mostrados e explicados de forma clara e sintética.

Assuntos que saiam da esfera da logica, por falta de sustentação teórica ou limitações da Física, não serão considerados.

Somente será Emitido Certificado para quem envie o projeto, dentro dos parâmetros solicitados. Busca-se inovação, criatividade e antes que tudo a pratica e assimilação dos conhecimentos adquiridos.

Nos seguintes quinze dias serão enviados os certificados.

Os melhores projetos podem ser classificados para execução e o aluno poderá ser convidado a fazer parte do desenvolvimento.

O projeto deve ser enviado por E-mail ate no dia 27 de Novembro as 00:00. Para mais informações: (Henrique@fraunhofer.org.br )

Este curso e uma realização do IFAM (Campus Distrito) com o suporte acadêmico da Universidade Tecnológica de Chemnitz e do Fraunhofer Enas de Nanosistemas Eletrônicos da Alemanha.

Introdução à Microeletrônica

Com o objetivo de fornecer uma introdução ampla à microeletrônica, a PPGEE-UFAM oferece este semestre 2015/2 a disciplina Introdução à Microeletrônica. 

Esta disciplina abordará os conceitos fundamentais de materiais e dispositivos semicondutores e de tecnologia para microfabricação, além do processo CMOS, do fluxo de projeto de circuitos integrados em vários níveis de projeto (RTL, porta lógica, transistor), assim como fundamentos de verificação e teste computacionais de circuitos integrados.  

  

Datas: 

23-27    Nov     Prof. Dr. Frank Sill (UFMG); 

07-11    Dez      Prof. Dr. Davies William (UFMG);


Horário: 8:00 - 12:00 da manhã;

Vaga para Estágio no INDT

O INDT está com vaga para estagiário com perfil voltado a desenvolvimento de hardware, para atuar em projetos de pesquisa e desenvolvimento de equipamentos eletrônicos.

Requisitos mínimos:  

-          Estudante de Engenharia Elétrica/Eletrônica/Mecatrônica/Computação (até 8º período)
-          Inglês intermediário

Desejável qualquer dos quesitos abaixo:

-          Curso técnico na área de Eletrônica (ou similares);
-          Conhecimentos em eletrônica analógica e digital;
-          Elaboração e interpretação de esquemas elétricos usando ferramentas CAD;
-          Conhecimento sobre instrumentação e teste;

A empresa oferece bolsa auxílio e benefícios.

Interessados, por favor, enviar currículo para Selma Xavier (selma.xavier@indt.org.br) até o dia 29/10 (quinta-feira).

X Escola de Microeletrônica do Nordeste (EMicro-NE 2015)

A X Escola de Microeletrônica do Nordeste (EMicro-NE 2015) tem o propósito de promover a formação em Microeletrônica no país e em especial na região Nordeste. Estão programadas 68 horas de atividades, abrangendo um conjunto de minicursos teóricos e práticos, além de diversas palestras na área de Microeletrônica.

1 o SIMPÓSIO EM MÉTODOS QUANTITATIVOS EM IMAGENS MÉDICAS DIGITAIS E BIOSENSORES

1 o  SIMPÓSIO EM MÉTODOS QUANTITATIVOS EM IMAGENS MÉDICAS DIGITAIS E BIOSENSORES

26-27/11/2015 - Auditório CETELI-UFAM Manaus/AM - BRASIL

Este evento visa reunir pesquisadores e estudantes que atuam nas áreas de processamento digital de imagens e biosensores para discutir métodos quantitativos, que permitam disponibilizar informações
relevantes para o suporte à decisão médica.

EMICRO-SP: OFICINA DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES AVANÇADOS

Curso oferecido pelo Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) do Depto de Sistemas Eletrônicos (PSI) da Escola Politécnica da USP de 23 a 27/11/2015

Universidade de São Paulo

REPRODUTIBILIDADE E NÃO-IDEALIDADES DE COMPONENTES ELETRÔNICOS

A compreensão e o controle de um fenômeno físico possibilitam a reprodução experimental do mesmo [1]. No caso do efeito transistor, o domínio do mesmo possibilitou a construção de dispositivos práticos capazes de reproduzir tal efeito e abriu portas para o crescimento e avanço da eletrônica até os dias de hoje.

Reproduzir experimentalmente um fenômeno significa produzir repetição dos resultados quando todas as condições experimentais forem repetidas. Mas a rigor produzir respostas totalmente iguais é uma exceção, o normal é conseguir um grau aceitável de similaridade dentro de uma margem de erro que é determinada pelo grau de precisão das técnicas e equipamentos utilizados.

Isto também é valido para os componentes eletrônicos como transistores, pois mesmo quando dois componentes eletrônicos são construídos para produzirem a mesma resposta, a similaridade entre as respostas estará dentro de uma margem de erro determinada pela precisão das técnicas e equipamentos utilizados na fabricação dos componentes. Isto é traduzido em variações entre as respostas dos componentes, não idealidades, que seriam nulas se estes fossem realmente iguais.

Os circuitos construídos com estes componentes também estarão sujeitos a estas variações, portanto em projetos de circuitos eletrônicos estas não idealidades devem ser consideradas. Em muitas situações pequenas variações podem até ser ignoradas, mas existem situações em que tais efeitos devem ser minimizados ao máximo, como é o caso de ruídos de padrões fixos fixed-pattern noise (FPN) [2] que ocorrem em câmeras de imagem, fig. 1. 

 

Figura 1:Imagens com FPN: esquerda (escuro), centro (iluminação media), direita (iluminação forte). Fig. 4.2 de [2]

No caso de FPN, as não-idealidades dos componentes geram artefatos nas imagens, fig. 1, quando a câmera é submetida a uma iluminação uniforme. Se os componentes que deveriam ser iguais tantos nos sensores, quanto nos circuitos de controle da câmera, realmente fossem iguais, o resultado seria aquele apresentado na fig. 2.

 

Figura 2: Imagens sem FPN: esquerda (escuro), centro (iluminação media), direita (iluminação forte). Fig. 4.2 de [2]

As não-idealidades estão presentes em todos os tipos de circuitos eletrônicos e basicamente alteram o ponto de polarização de um circuito para outro. Por isso utilizamos componentes como resistores variáveis em alguns pontos específicos dos circuitos para realizar ajustes. 

Em circuitos discretos realizar tais ajustes é razoavelmente simples, pois os pontos de ajuste podem ser concebidos durante o projeto e pode até mesmo ser implantado após o circuito ser fabricado. Já em circuitos integrados qualquer tipo de ajuste deve ser pensado durante o projeto, pois depois do circuito fabricado não será mais possível implementar modificações, pois neste caso é muito mais viável refazer o projeto do que corrigir o circuito no chip.

REFERENCIAS

[1] O EFEITO TRANSISTOR ANTES DE 1947: http://thecircuitcracker.blogspot.com.br/2015/09/o-efeito-transistor-antes-de-1947.html (acessado em 08/10/2015)

[2] C. A. de Moraes Cruz, “Simplified Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor with 3T APS Reset-Drain Actuation,” Ph.D. dissertation, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Hirizont-MG, Brazil, 2014.

O EFEITO TRANSISTOR ANTES DE 1947

A compreensão de um fenômeno nos permite ter o controle sobre o mesmo e o controle de um fenômeno é a chave para a utilização do mesmo [1], e isto é uma verdade para praticamente tudo o que conhecemos do reino físico.

A eletrônica impactou e continua a impactar a humanidade com os diversos aparatos e facilidades que se tornaram factíveis com a descoberta, o entendimento, e o domínio do efeito transistor, e o aperfeiçoamento das técnicas que permitem realizar o tratamento de semicondutores para que este efeito seja utilizado da forma mais eficiente o possível.

1947 foi um ano marcante e para muitos este é o ano do nascimento da eletrônica. Mas esta é uma odisseia que começou muito antes, através de homens visionários e ou simplesmente curiosos que tentavam entender o funcionamento da eletricidade e materiais elétricos como semicondutores [1]. Os semicondutores sempre intrigaram estes curiosos por causa das estranhas variações em sua condutividade elétrica quando comparados com os metais e os isolantes.

Antes de 1947 muitas das propriedades dos semicondutores como condutividade intermediaria entre metal e isolante, e o aumento da condutividade destes quando expostos, por exemplo, ao calor e a luz. Também as já eram utilizados como dispositivos retificadores para fazer a captura de sinais de rádio, um destes dispositivos é o diodo bigode de gato. Nesta época o principal material utilizado pelos radioamadores era sulfeto de chumbo (galena).

Apesar de algumas aplicações como retificação através de diodos bigode de gato já serem utilizadas na época, a compreensão dos semicondutores ainda era limitada e logo após a segunda guerra mundial em 1945 o Bell Labs investiu pesado na pesquisa e compreensão dos semicondutores [1]-[2]. Um dos focos desta empreitada era o desenvolvimento de um amplificador em semicondutor.

Em 1945, William Shockley tentou construir um amplificador a partir da modulação da resistividade de semicondutores via campo elétrico, conceito similar ao transistor MOS FET, mas não teve sucesso no com o experimento. Então tentando descobrir o porquê do não funcionamento do dispositivo de Shockley, John Bardeen e Walter Brattain construíram o primeiro amplificador reprodutível em semicondutor, o transistor de água em 1947 [3]. 

Pouco tempo depois naquele mesmo ano, Bardeen e Brattain construíram o transistor de contato de ponta [1] e [2], que foi o primeiro a ser construído em massa. Mais tarde Shockley desenvolve um modelo que explicava o funcionamento do efeito transistor, e isto abriu as portas para o desenvolvimento de outros tipos de transistores e todo o avanço tecnológico da eletrônica em semicondutores.

Por trás dos mitos dos anos que antecederam a criação do primeiro transistor reprodutível, existiam relatos de rádio amadores que haviam conseguido realizar amplificação de sinal de rádio com algum setup diferente de contatos dos arames dos “diodos bigode de gato” com os cristais utilizados na época principalmente a galena [4]. Mas até então o efeito não era facilmente reprodutível. 

Entre os nomes daqueles que não ficaram no anonimato total, podemos citar Oleg Vladimirovich Losev (1903-1942), que era muito bom com osciladores, e também realizou experimentos com emissão de luz por cristais de SiC, publicou relatos de que havia conseguido usar cristais como amplificadores [5]. Julius Edgar Lilienfeld, patenteou em 1925 o conceito de modulação da resistividade de semicondutores via campo elétrico [6], que poderia ser utilizado para construir amplificadores em estado sólido, esta foi basicamente a ideia que Shockley perseguiu no início das pesquisas por amplificação em estado sólido no Bell Labs em 1945.
 
Outros nomes como, William Henry Eccles, Harry Edmond Sigfrid Stockman, Robert George Adams, Russell Shoemaker Ohl, o radioamador Larry Kayser (VA3LK / WA3ZIA), e Thomas Henry Moray também são conhecidos por relataram experimentos onde observaram efeito de amplificação utilizando semicondutores antes de 1947.
 
Lendas deste tipo certamente são intrigantes para os curiosos, e podem ter servido de combustível para as pesquisas que culminaram na construção dos primeiros transistores reprodutíveis em 1947.  

REFERENCIAS
 
[1] AT&T Archives: Genesis of the Transistor, https://www.youtube.com/watch?v=WiQvGRjrLnU, (acessado em 24/09/2015)
 
[2] Transistorized, http://www.pbs.org/transistor/album1/index.html (acessado em 24/09/2015)
 
[3] O TRANSISTOR DE ÁGUA (THE WATER TRANSISTOR), http://thecircuitcracker.blogspot.com.br/2015/09/o-transistor-de-agua-water-transistor.html (acessado em 30/09/2015)
 
[4] Estado Sólido versus Gasoso: Rivalidade Secular - Parte I, http://www.htforum.com/forum/threads/estado-solido-versus-gasoso-rivalidade-secular-parte-i.90051/ (acessado em 30/09/2015)
 
[5] The  Crystodyne  Principle, http://earlyradiohistory.us/1924cry.htm (acessado em 30/09/2015)
 
[6] Julius Edgar Lilienfeld, https://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld (acessado em 30/09/2015)

O TRANSISTOR DE ÁGUA (THE WATER TRANSISTOR)

Quem acha que o primeiro transistor foi o de contato de ponta (point contact transistor) desconhece uma parte muito interessante da história das pesquisas que levaram a criação do primeiro transistor pelo Bell Labs (1945-1947). Pois o primeiro transistor reprodutível na verdade foi o transistor de água [1], criado por Bardeen e Brattain, dois integrantes do time que iniciaram as pesquisas no Bell Labs em busca de um amplificador em semicondutor. Não é interessante?

A história começou na primavera (do hemisfério norte) de 1945 quando William Shockley, líder da equipe formada por ele, John Bardeen, e Walter Brattain, tentou colocar para funcionar um dispositivo que seria similar ao que conhecemos hoje como transistor de efeito campo, mas não teve sucesso. E como líder, Shockley atribuiu a tarefa descobrir o porquê do não funcionamento do dispositivo a Bardeen e Brattain [2]. 

As investigações para tentar desvendar os mistérios do porquê do dispositivo de Shockley não ter funcionado foram conduzidas pela dupla. Mas como o conhecimento da física de semicondutores na época era insuficiente, foram geradas várias hipóteses na direção de tentar solucionar o problema, e estas hipóteses foram sendo testadas experimentalmente. Finalmente, no outono “do hemisfério norte” de 1947 uma das hipóteses funcionou [1], foi criado o transistor de água "the water transistor", fig. 1.

Figura 1: Imagem capturada de [1]

A hipótese, sugerida por Bardeen, foi utilizar uma gota de um eletrólito, no caso água, sobre uma placa de germânio, encerar uma ponta metálica e passar através da gota de água para fazer contato com o germânio, a cera isolaria o metal da água, e depois conectar uma bateria V1, fig. 1, entre o germânio e a ponta encerada [1]. 

Uma outra ponta metálica, limpa, seria usada para fazer contato com a gota de água, sem tocar no germânio, e então conectar uma segunda bateria V2 entre o germânio, a gota de água, e a ponta metálica limpa [1]. O sinal a ser amplificado seriam variações de tensão introduzidas na fonte V2.

Bardeen acreditava que o potencial elétrico no eletrólito influenciaria o fluxo de corrente entre a ponta encerada e o germânio. A suposição estava correta e eles produziram o primeiro amplificador reprodutível em semicondutor, chamado aqui de o transistor de água. 

O único problema é que a água evapora muito rápido. Então eles substituíram o eletrólito por glicol-borato, esquema mostrado na fig. 2, que evapora mais lentamente, produzindo o segundo transistor reprodutível. Mas com este dispositivo não era possível amplificar sinais com frequência acima de 8 Hz.

Figura 2: Imagem capturada de [1]

 

Com o conhecimento adquirido através destes experimentos, pouco tempo depois Bardeen e Brattain produziram o transistor de contato de ponta, que será abordado em um outro artigo. Por todos os relatos que chegaram até nós a respeito de outros experimentos com amplificadores em semicondutores feitos antes de 1947, que não foram devidamente registrados, talvez este não tenha sido realmente o primeiro transistor a ser observado. Mas certamente, estes foram os primeiros experimentos reprodutíveis que possibilitaram a observação do efeito transistor.

REFERENCIAS

[1] AT&T Archives: Genesis of the Transistor, https://www.youtube.com/watch?v=WiQvGRjrLnU, (acessado em 24/09/2015)

[2] Transistorized, http://www.pbs.org/transistor/album1/index.html (acessado em 24/09/2015)

 

Lista de Videos do Canal (The Circuit Cracker)

Estaremos publicando uma serie de vídeos com temas práticos para projetos de circuitos eletrônicos.

Você encontra nossa lista de vídeos nos links abaixo:

Acoplamento Capacitivo:

https://youtu.be/bMlT3m0a0uY

Acoplamento Capacitivo com Diferentes Capacitâncias:

https://youtu.be/xBoZ51Ck_Qw

Acoplamento Capacitivo com Múltiplas Frequências:

https://youtu.be/Lm-BLESdkvU


Modelos Práticos para Analise AC de Válvulas e Transistores

https://youtu.be/XLdSp_Y_YD8

Polarização de Transistor de Junção Bipolar NPN

https://youtu.be/WxNCuI7Kvoo

Polarização de Transistor de Junção Bipolar PNP

https://youtu.be/uqjnlyUwrM4

Amplificador Emissor Comum com TJB NPN

https://youtu.be/EDP_d-AJQ5o

The Circuit Cracker

Bem vindos ao The Circuit Cracker

O nosso objetivo é trazer para você teoria e pratica de circuitos eletrônicos de uma forma simples e fácil de entender e executar. E também gerar um foro de discussão sobre projetos de circuito discretos e ou integrados.

Hello World

Hello World!!!